НТЦ "Информтехника", ВНЦ ГОИ им.С.И.Вавилова

Межотраслевой научно-технический семинар "Оптические покрытия"

г.Москва, 1991

Оптические покрытия. Материалы семинара, НТЦ "Информтехника", М. 1991, с.61-63.


Применение эллипсометрии в технологии зеркал газовых лазеров

Волкова Т.А., Колмыкова Е.Х., Панов С.Е., Попов В.Б., Попов В.Д. (г.Москва)

При использовании эллипсометрии для контроля многослойных структур возникают специфические особенности. Во-первых, таким структурам свойственна периодичность измеряемых эллипсометрических параметров Y и D от толщины и числа слоёв. Во-вторых. существенно большее число параметров, характеризующих многослойник, приводит к некорректности поиска однозначного решения обратной задачи эллипсометрии.В этом случае большое значение приобретает изучение изменений эллипсометрических параметров относительно начального уровня, определяющегося соответствующими модельными представлениями. Неадекватность физической модели, погрешности измерений и вычислений приводят к затруднениям в интерпретации эллипсометрических измерений.

Математическое обеспечение разрабатывалось нами с учётом этих соображений специально для эллипсометрии многослойных диэлектрических покрытий. Оно позволяет на ЭВМ класса "Электроника-60" в интерактивном режиме моделировать как сам процесс изготовления многослойного диэлектрического покрытия, так и его "жизнь" в последующем. В основу вычислительного алгоритма положены соотношения Скендонна-Баллерини. Ограничения на число, толщину, значения показателей преломления и поглощения слоёв не накладываются (т.е. неоднородные слои могут рассматриваться как секционированные).

Полученные расчётным путём значения коэффициентов отражения (пропускания) для систем четвертьволновых слоёв ZnS MgF2 c точностью до третьего знака совпадают с экспериментально измеряемыми. Такой результат свидетельствует в пользу адекватности модели однородных диэлектрических слоёв данной реальной системе.

Результаты численного расчёта показывают, что :

Путем наблюдения за изменением эллипсометрических параметров зеркал системы ZnS - MgF2 выявлено, что у свеженапылённых зеркал идёт насыщение влагой многочисленных пор в слое MgF2 через отдельные сквозные проколы более плотного верхнего слоя ZnS. В нормальных климатических условиях этот процесс завершается через несколько суток. В дальнейшем при работе зеркала в вакууме или активной смеси идёт обратный процесс частичной десорбции воды.

При исследовании изменений эллипсометрических параметров зеркал внутри макетов гелий-неонового лазера найдено, что происходит ряд конкурирующих процессов. Так, в начальный момент тренировки прибора, кроме упомянутой десорбции воды из слоёв MgF2, происходит сравнительно интенсивный перенос вещества нарушенного слоя газоразрядных каналов, который, в зависимости от преимущественной величины частиц, образует более или менее сплошную плёнку налёта на зеркале и, соответственно, параметр D в той или иной степени уменьшается. Процесс массопереноса в этой стадии зависит от множества факторов предшествующего технологического процесса. В дальнейшем процесс наращивания замедляется, и становится заметным процесс травления покрытия. Характерное время установления монотонности изменения параметра D в наших условиях составило около 1000 ч.

На стадии отработки методики результаты эллипсометрических исследований сравнивались с результатами, полученными методами электронной спектроскопии и микроскопии; впоследствии мы пришли к выводу, что если механизм изменения параметров покрытий понятен, то эллипсометрия даёт исчерпывающую информацию для управления технологическим процессом.

Авторы считают, что методы эллипсометрии вместе с описанным математическим обеспечением могут быть использованы для решения большого класса практических задач в технике и технологии тонких плёнок.

Hosted by uCoz